Diode Laser à puissance élevée 808nm 1000mW

Type: AL808T1000

Avantages:
Puissance de sortie élevée: =1000mw
Longueur d'onde: 808nm±3nm
Structure de puit quantique
Boitîer Standard TO-3

Applications:

Pompe Diode laser à état solide
Instruments médicaux
Lumière infra-rouge
Classement maximal absolu(Tc=25 degrées C)

Paramètre

Symbole

Classement

Unité

Puissance optique

po

=1000

mw

Température de fonctionnement

Top

-10~40

C

Température de rangement

Tstg

-40~80

C

Tension renversée LD

VRLD

=2

V

PD Tension renversée)

VRPD

=40

V

Caractéristiques optiques & électriques(Tc=25 degrées C)

Paramètre

Symbole

Valeur type

Unité

Longueur d'onde du laser

nm

808±5

nm

Courant de seuil

Ith

=250

mA

Courant d'opération

Iop

=1500

mA

Tension de fonctionnement

Vop

=2.4

V

Slope Efficiency

 

=1

(W/A)

Grandeur d'ouverture de l'émission

W×H

100*1

µm

Divergence de faisceau

Théta parr

=12

deg

Theta perp

=35

Température de fonctionnement

C

25

C

Note:

1. Des précautions ESD doivent être prises lors de la manipulation de ce produit.

2.Radiation Laser, éviter l'exposition directe au faisceau.

3.Spécifications sujets à changement

Nous avons des prix imbattables pour ce produit.

nos prix sont constamment mis-à-jour, svp faites une demande de soumission en appelant au (514) 334-4588 ou en envoyant un courriel à: sales2@o-eland.com

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