Diode Laser Puissance élevée 808nm 500mW

Type: AL808T500

Avantages:
Puissance de sortie élevée: 500mw
Longueur d'onde:808±3nm (CW)
Quantum well design
Boîtier Standard TO-5 (f=9mm)

Applications:

Diode laser à pompage d'état solide
Instrument médical
Lumière infra-rouge
Classement maximal absolu (Tc=25 degrées C)

Paramètre

Symbole

Classement

Unité

Puissance optique

po

=500

mw

Température de fonctionnement

Top

-10~40

C

Température de rangement

Tstg

-40~80

C

Voltage renversé LD

VRLD

=2

V

Voltage renversé PD

VRPD

=40

V

Caractéristiques optiques et électriques (Tc=25 degrées C)

Paramètre

Symbole

Typ

Unité

Longueur d'onde du laser

nm

808±3

nm

Courant de seuil

Ith

=100

mA

Courant de fonctionnement

Iop

=700

mA

Tension de fonctionnement

Vop

=2

V

Slope Efficiency

 

=1

(W/A)

Grandeur d'ouverture de l'émission

W×H

50*1

µm

Divergence du faisceau

Théta parr

=12

deg

Théta perp

=35

Température de fonctionnement

C

25

C

Note:

1. Des précautions ESD doivent être prises lors de la manipulation de ce produit.

2.Radiation laser, éviter une exposition directe au faisceau.

3.Spécifications sujets à changement

Nous avons des prix imbattables pour ce produit.

nos prix sont constamment mis-à-jour, svp faites une demande de soumission en appelant au (514) 334-4588 ou en envoyant un courriel à: sales2@o-eland.com

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