Photodiode Si Quadrant GT111

Type: GT111/GT112

Avantages

Réponse élevée
Bas courant noir
Sortie indépendante

Applications

Système automatique pour l'industrie
Laser microfarad
Déplacement déterminé
Vue Laser

Structure:

PIN

Classement maximal absolu

Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Température de rangement

Tstg

-40~+85

C

Température de fonctionnement du boîtier

Top

-40~+100

C

Courant avant

If

10

mA

Courant renversé

Ir

1000

uA

Tension renversé

Vr

80

V

Spécifications:

Caractéristiques électriques et optiques ( T=25 degrées C,Vb=-15V,Alpha=0.9um)

Paramètre

Symbole

Unité

-

-

GT111

GT112

 

Typ

Typ

Réponse du spectre

Alpha

µm

0.4~1.1

0.4~1.1

Longueur d'onde du pic

Alphap

µm

0.9±50

0.9±50

Aire photosensitive

S

mm

f4mm

f6mm

Capacitance

Cj

PF

=20

=40

Réponse

Pour 0.9um

Re

µA /

µW

=0.5

=0.5

Tension de fonctionnement

V

V

-15

-15

Courant noir

Id

nA

=30

=80

Temps de réponse

Tr

nS

=10

=15

Température

de fonctionnement

TR

?

-40~+100

 
-

Note:

1. Des précautions ESD doivent être prises lors de la manipulation de ce produit.

2.Spécifications sujets à changement

 

Nous avons des prix imbattables pour ce produit.

nos prix sont constamment mis-à-jour, svp faites une demande de soumission en appelant au (514) 334-4588 ou en envoyant un courriel à: sales2@o-eland.com

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