Photodiode Réseau SI GT113
Type: GT113/114/115T

Avantages

Réponse élevée
Courant bas noir
Sortie indépendante

Applications

Système automatique pour l'industrie
Laser microfarad
Déplacement déterminé
Structure:

PIN

Classement maximal absolu

Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Température de rangement

Tstg

-40~+85

C

Température d'opération du boitîer

Top

-40~+100

C

Courant avant

If

10

mA

Courant renversé

Ir

1000

uA

Tension renversé

Vr

80

V

Spécifications:

Caractéristiques électriques et optiques ( T=25 degrées C,Vb=-15V, Alpha=0.9um)

Paramètre

Symbole

Unité

-

Montant de l'unité

GT113T

GT114T

GT115T

10

16

64

Typ

Typ

Typ

Spectre de réponse

Alpha

µm

0.4~1.1

0.4~1.1

0.4~1.1

Pic de longueur d'onde

Alphap

µm

0.9±50

0.9±50

0.9±50

Grandeur de l'unité

 

mm

1*1*10

2*1*16

1*0.6*64

Capacitance

Pour une unité

Cj

PF

=1

=1

=1

Réponse

Pour 0.9um

Re

µA /

µW

=0.45

=0.45

=0.45

Source d'opération

V

V

-15

-15 -15

Courant noir

pour une unité

Id

nA

=1

=1

=1

Temps de réponse

Tr

nS

=10

=60

=100

Température

de fonctionnement

TR

?

-40~+100

-

Note:

1. Des précautions ESD doivent être prises lors de la manipulation de ce produit.

2.Spécifications sujet à changement

 

Nous avons des prix imbattables pour ce produit.

nos prix sont constamment mis-à-jour, svp faites une demande de soumission en appelant au (514) 334-4588 ou en envoyant un courriel à: sales2@o-eland.com

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