Module Photodiode InGaAs

Avantages
Taux de réponse élevé
Vitesse élevée
Bas courant noir
Basse capacitance
Structure incidente de la face planaire
Connecteurs ST, FC, SC ou rallongés

Applications

LANS
FDDI
SONET OC-3/SDH STM-1
SONET OC-12/SDH STM-4
SDH-DLC
Puissancemètre
Classement maximal absolu

Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Température de rangement

Tstg -40~+85 C

Température de fonctionnement du boîtier

Top -40~+85 C

Courant avant

If 5 mA

Courant inverse

Ir 1000 uA

Tension inverse

Vr 30 V

Spécifications:

Caractéristiques électriques et optiques (T=25 degrées C)

Paramètre

Symbole

Condition de test

Min.

Typ.

Max.

Unité

Réponse

Re WL=1300nm 0.8 0.85 ` A/W

Spectre de réponse

  ` 0.9 ` 1.65 um

Perte de retour optique

ORL ` ` 30 ` dB

Courant noir

Id Vr=5V ` 0.2 0.8 nA

Capacitance

C Vr=5V ` 0.4 0.8 pf

Temps de levée/Temps de chute

tr / tf Vr=5V 0.15 0.3 1.15 nsec

Largeur de bande

fc ` ` 1.5 ` GHz

Puissance de saturation incident

Ps Vr 2 ` ` mW

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